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俄罗斯亮剑：公布EUV光刻机路线图，挑战ASML霸主地位？下载方式:

①通过浏览器下载

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> 厂商新闻《俄罗斯亮剑：公布EUV光刻机路线图，挑战ASML霸主地位？》特朗普继续对日本施压：日本需要开放市场 时间：2025-10-09 04:59

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电子发烧友网报道（文/吴子鹏） 在全球半导体产业格局中，光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”，而极紫外（EUV）光刻技术更是先进制程芯片制造的核心。长期以来，荷兰 ASML 公司几乎垄断了全球 EUV 光刻设备市场，成为各国晶圆厂迈向 7nm、5nm 乃至更先进制程绕不开的 “守门人”。然而，近日俄罗斯科学院微结构物理研究所公布的一份国产 EUV 光刻设备长期路线图，引发了业界的广泛关注与讨论 —— 俄罗斯，正在试图挑战 ASML 的霸权。

技术路径的创新突破

俄罗斯科学院微结构物理研究所公布的 EUV 光刻设备路线图，采用 11.2 纳米波长光源，与 ASML 主流设备形成技术分野。该方案摒弃了 ASML 的锡液滴等离子体光源，转而采用氙气等离子体与混合固态激光器的组合设计，有效避免了光源碎屑对光掩模的损伤，大幅降低了设备维护频率。

在光学系统方面，俄罗斯团队创新性地选用钌铍合金（Ru/Be）材料作为反射镜组件，配合 11.2 纳米波长实现高效光路传输。这一设计规避了 ASML 深紫外（DUV）设备所需的高压浸没液和多重图形化工艺，通过简化光学结构降低了技术复杂度。

项目牵头人尼古拉・奇哈洛直言，新方案的核心优势在于 “用波长优化实现成本与精度的平衡”，这种思路与俄罗斯在基础物理领域的传统优势形成了呼应。

差异化路线图的三重突破设计

俄罗斯的 EUV 研发计划以三阶段递进模式，勾勒出从成熟制程到先进工艺的攻坚路径，每一步都暗藏对 ASML 技术体系的刻意规避：

第一阶段（2026-2028 年）聚焦 “破冰”，目标实现 40 纳米制程设备量产。该阶段设备采用双反射镜物镜系统，套刻精度控制在 10 纳米，虽每小时仅能处理 5 片晶圆，却能满足汽车电子、工业控制等领域的刚需。这一设计精准对接了俄罗斯当前最紧迫的芯片需求，避免了初期研发与市场需求的脱节。

第二阶段（2029-2032 年）瞄准 “实用化”，将制程能力提升至 28 纳米并预留 14 纳米升级空间。通过引入四反射镜光学系统，套刻精度提升至 5 纳米，同时将吞吐量提升 10 倍至每小时 50 片。更关键的是，该阶段设备将整合进俄罗斯本土芯片生产线，开始验证技术生态的闭环能力。

第三阶段（2033-2036 年）剑指 “先进化”，目标达成亚 10 纳米制程。六反射镜配置将套刻精度推向 2 纳米级别，26×2 毫米的曝光场与每小时 100 片的吞吐量，使其具备了与 ASML 中低端机型竞争的潜力。研发团队声称，其单位成本将显著低于 ASML 的 Twinscan 系列，试图以性价比打开市场缺口。

整个项目周期从 2026 年持续至 2037 年，目标是在 2037 年前实现亚 10nm 制程的量产能力。这一路线图虽不及 ASML 当前的技术水平，但对于一个被西方技术封锁的国家而言，已是一次极具雄心的技术突围。

技术、生态与市场的三重考验

尽管路线图描绘得颇具前景，但俄罗斯 EUV 项目仍面临巨大挑战：

技术壁垒高筑：EUV 光刻涉及光源、光学系统、精密机械、材料科学等多个尖端领域，俄罗斯虽在基础科研方面实力雄厚，但在高端制造、精密光学、工业自动化等方面存在短板。

生态系统缺失：11.2nm 波长意味着无法兼容现有的 EUV 基础设施，俄罗斯必须独立开发包括光刻胶、掩膜、检测设备在内的完整产业链，这将极大拉长研发周期并提高成本。

市场应用受限：即便技术实现突破，其设备主要面向小型晶圆厂，吞吐量和精度仍难与 ASML 媲美，商业化前景不明朗。加之国际制裁背景下，俄罗斯半导体产业与国际主流脱钩，设备出口与合作的空间有限。

此外，人才与资金的缺口同样致命。EUV 研发需要物理、材料、精密制造等多领域的顶尖人才协同，而俄罗斯近年来面临高端科技人才流失的困境。据俄媒披露，其半导体领域的研发投入不足全球总量的 0.3%，而 ASML 单家企业 2024 年的研发费用就达 35 亿欧元。即便俄罗斯计划在 2026 年后每年组装 5 台光刻激光器，这种投入规模与 EUV 研发所需的持续资金支持相比，仍显杯水车薪。

全球半导体格局的微妙变量

尽管挑战重重，俄罗斯的 EUV 路线图仍可能成为全球半导体格局的重要变量。其战略价值不仅在于技术本身，更在于提供了一种 “非对称竞争” 的新范式 —— 放弃与 ASML 在高端产能上直接对抗，转而聚焦小型晶圆厂的高性价比需求。这种定位精准命中了全球半导体产业的结构性缺口：在汽车、物联网等领域，大量企业需要的是成本可控的成熟制程设备，而非 ASML 动辄上亿美元的高端机型。

对于被 “瓦森纳协定” 排除在先进技术之外的国家而言，俄罗斯的清洁型 EUV 方案可能具备特殊吸引力。无需高压浸没系统、维护成本更低的设计，使其在新兴市场具备天然优势。当然，这种可能性的前提是路线图能够按计划落地。从 ASML 的发展历程来看，其从研发到量产耗时近 20 年，而俄罗斯计划用 11 年实现从 40 纳米到亚 10 纳米的跨越，进度规划过于激进。更现实的前景是，俄罗斯可能在 2030 年前实现 28 纳米制程的自主化，满足本土 80% 的成熟芯片需求，从而在一定程度上摆脱制裁束缚。

但无论最终结果如何，这份路线图都传递出一个清晰信号：在科技竞争的赛道上，没有永远的垄断者，只有不断迭代的创新者。俄罗斯的尝试或许难以复制 ASML 的成功，却可能为全球半导体技术提供另一种发展思路 —— 在精度与成本、自主与合作之间，寻找更适合自身的生存之道。这场跨越十余年的技术攻坚，终将成为观察全球半导体产业格局演变的重要窗口。

结语

俄罗斯科学院微结构物理研究所抛出的这份 EUV 光刻机路线图，从来不止是一份技术攻坚计划，更是一个被全球半导体技术封锁倒逼出的 “破局信号”。它没有盲目对标 ASML 的顶尖制程，而是以 11.2 纳米波长的差异化光源、钌铍合金反射镜的创新设计，锚定汽车电子、工业控制等成熟制程刚需，用 “成本与精度平衡” 的思路，走出了一条非对称竞争的路径 —— 这种立足自身需求、规避技术壁垒的策略，恰恰戳中了当前全球半导体产业的结构性缺口：并非所有市场都需要上亿美元的高端机型，大量行业对 “性价比优先” 的成熟制程设备的渴求，本就是被垄断格局掩盖的真实需求.

当然，这份路线图的雄心背后，是难以回避的现实挑战：从精密光学制造的短板、11.2 纳米波长配套生态的从零构建，到高端人才流失与研发投入的杯水车薪，每一步都考验着俄罗斯半导体产业的综合实力。即便按计划推进，2037 年实现亚 10 纳米量产的目标，与 ASML 当前的技术代差仍客观存在，商业化前景更需时间验证。

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